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F6617SPK	文件：1.17282 Mbytes Page：5 Pages	EnhancementModePowerMOSFET DESCRIPTION TheF6617SPKusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentR, lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5Vwhileretaininga12VVrating. ItisESDprotected. Thisdeviceissuitableforuseasaunidirectionalorbi-directionalloadswitch,facilitated	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
FLS6617	文件：454.1 Kbytes Page：15 Pages	Primary-Side-RegulationPWMwithPOWERMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FLS6617MX	文件：454.1 Kbytes Page：15 Pages	Primary-Side-RegulationPWMwithPOWERMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HM-6617	文件：91.67 Kbytes Page：7 Pages	2Kx8CMOSPROM Description TheHM-6617isa16,384bitfuselinkCMOSPROMina2Kwordby8-bit/wordformatwith“Three-State”outputs.ThisPROMisavailableinthestandard0.600inchwide24pinSBDIP,the0.300inchwideslimlineSBDIP,andtheJEDECstandard32padCLCC. Features •LowPowerStandbyand	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HS-6617RH	文件：139.85 Kbytes Page：5 Pages	RadiationHardened2Kx8CMOSPROM	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HS-6617RH	文件：128.419 Kbytes Page：14 Pages	RadiationHardened2Kx8CMOSPROM RadiationHardened2Kx8CMOSPROM TheIntersilHS-6617RHisaradiationhardened16KCMOSPROM,organizedina2Kwordby8-bitformat.ThechipismanufacturedusingaradiationhardenedCMOSprocess,andisdesignedtobefunctionallyequivalenttotheHM-6617.Synchronouscircuitdesigntech	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HS-6617RH-T	文件：94.36 Kbytes Page：3 Pages	RadiationHardened2Kx8CMOSPROM Intersil’sSatelliteApplicationsFlowTM(SAF)devicesarefullytestedandguaranteedto100kRADtotaldose.TheseQMLClassTdevicesareprocessedtoastandardflowintendedtomeetthecostandshorterlead-timeneedsoflargevolumesatellitemanufacturers,whilemaintainingahighlevelof	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF6617	文件：170.6 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheIRF6617combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6617PBF	文件：244.43 Kbytes Page：9 Pages	IdealforCPUCoreDC-DCConverters	IRF International Rectifier	IRF
IRF6617PBF	文件：244.43 Kbytes Page：9 Pages	Lead-Free(Qualifiedupto260째CReflow) Description TheIRF6617PbFcombinesthelatestHEXFET®powerMOSFETsilicontechnologywithadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMicro8™andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutg	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
TB6617FNG(O,EL)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
集成电路（IC） > 电机驱动器，控制器
包装：
管件
电机类型 - AC，DC：
有刷直流
功能：
驱动器 - 全集成，控制和功率级
输出配置：
半桥（2）
接口：
并联
技术：
功率 MOSFET
应用：
通用
电流 - 输出：
1A
电压 - 供电：
2.7V ~ 5.5V
电压 - 负载：
4.5V ~ 45V
工作温度：
-20°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：
16-SSOP
描述：
IC MOTOR DRIVER 2.7V-5.5V 16SSOP

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更多TB6617FNG供应商更新时间2025-7-12 14:13:00

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