| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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TI(德州仪器)SOP-8 |
7548 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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5000 |
12/14+ |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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Texas InstrumentsSOIC-8 |
12000 |
23+ |
原装正品现货询价有惊喜 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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TI(德州仪器)SOP-8 |
11816 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司5年
留言
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TI(德州仪器)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市安富世纪电子有限公司6年
留言
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TISOP8 |
65568 |
22+ |
代理授权直销,原装现货,长期稳定供应 |
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深圳市雅芯通科技有限公司1年
深圳市雅芯通科技有限公司
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TI/德州仪器SOIC |
5000 |
24+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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TI(德州仪器)SOIC-8 |
30000 |
22+ |
只做原装 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司3年
留言
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TI(德州仪器)SOP8 |
12000 |
23+ |
原装现货,直供终端工厂 |
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深圳市耿芯泰电子科技有限公司1年
留言
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TISOP8 |
8400 |
2022 |
原装正品 现货实单可谈 |
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深圳市昌源微科技有限公司1年
留言
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TISOP |
1000 |
19+ |
只做原装,现货库存 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Texas Instruments8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
25484 |
23+ |
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PMIC电源管理芯片-原装正品 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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TISMD |
323984 |
23+ |
原厂很远现货很近,只做正品 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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TISOP8 |
6293 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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TEXAS INSTRUMENTSSMD |
518000 |
22+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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TI/德州仪器NA |
6000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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TISOP8 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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TI(德州仪器)SOIC8 |
6000 |
23+ |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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TISOP8 |
3000 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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TI21+ |
6293 |
SOP8 |
原装正品现货,支持BOM配单! |
UCC27322QDRQ1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
UCC27322QDRQ1图片
UCC27322QDRQ1价格
UCC27322QDRQ1价格：￥9.6314品牌：TI
生产厂家品牌为TI的UCC27322QDRQ1多少钱，想知道UCC27322QDRQ1价格是多少？参考价：￥9.6314。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，UCC27322QDRQ1批发价格及采购报价，UCC27322QDRQ1销售排行榜及行情走势，UCC27322QDRQ1报价。
UCC27322QDRQ1中文资料Alldatasheet PDF
更多UCC27322QDRQ1功能描述:功率驱动器IC AC Sgl 9A High Spd RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
UCC27322QDRQ1
- 制造商：
Texas Instruments
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 系列：
Automotive, AEC-Q100
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置：
低端
- 通道类型：
单路
- 栅极类型：
N 沟道，P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
4V ~ 15V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
1.1V，2.7V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
9A，9A
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
- 工作温度：
-40°C ~ 105°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
