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SVF20N60PN	文件：300 bytes Page：1 Pages	平面高压MOS SVF20N60F/PN 是 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。\n\n • 20A，600V，RDS(on)(典型值)=0.28Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt能力;	Silan 士兰微	Silan
SW20N60	文件：741.67 Kbytes Page：7 Pages	N-channel Power MOSFET 文件：741.67 Kbytes 页数：7 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER
SW20N60U	文件：674.2 Kbytes Page：5 Pages	N-channel TO-3P MOSFET 文件：674.2 Kbytes 页数：5 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER
SWW20N60	文件：741.67 Kbytes Page：7 Pages	N-channel Power MOSFET 文件：741.67 Kbytes 页数：7 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER

技术参数

Status：
Sample
Type：
N
Process：
F-cell
Configuration：
Single
Popular Application：
High Voltage
ESD Diode：
No
Schottky Diode：
No
Schottky Type：
NO
Package：
TO-3P
VGS：
30
ID @25℃：
2~4
PD @25℃：
20
RDS[ON]@VGS=10v：
258
VGS[th]：
0.35
Ciss：
2708.00
Crss：
6.60
Qg：
47.45
Qgd：
14.51
Td[on]：
27.00
Td[off]：
82.00

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更多SVF20N60PN供应商更新时间2025-11-1 14:02:00

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