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SUP60N10	文件：1.21645 Mbytes Page：7 Pages	60A,100V Heatsink Trench N-Channel Power MOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
SUP60N10-16L	文件：333.24 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SUP60N10-18P	文件：333.58 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SUP60N10-16L	文件：41.33 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUP60N10-16L	文件：1.51894 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SUP60N10-16L_16	文件：53.86 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUP60N10-18P	文件：115.09 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
SUP60N10
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
N-Channel 100-V(D-S) 175 Degree Celcious MOSFET

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更多SUP60N10供应商更新时间2025-5-28 14:02:00

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