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SUP60N10-16L	文件：333.24 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 16mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：333.24 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SUP60N10-16L	文件：1.51894 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.51894 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
SUP60N10-16L	文件：41.33 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET 文件：41.33 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SUP60N10-16L_16	文件：53.86 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET 文件：53.86 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SUP60N10-16L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET	Vishay 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
SUP60N10-16L
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
N-Channel 100-V(D-S) 175 Degree Celcious MOSFET

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