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SUP60N10-16L

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SUP60N10-16L

N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SUP60N10-16L

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

SUP60N10-16L_16

N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

详细参数

  • 型号:

    SUP60N10-16L

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全称:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    N-Channel 100-V(D-S) 175 Degree Celcious MOSFET

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更多SUP60N10-16L供应商 更新时间2025-7-16 11:00:00