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STW68N60M6数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

STW68N60M6

参数属性

STW68N60M6 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 600V TO247-3

功能描述

N沟道600 V、35 mOhm典型值、63 A MDmesh M6功率MOSFET,TO-247封装
MOSFET N-CH 600V TO247-3

封装外壳

TO-247-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:02:00

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STW68N60M6规格书详情

描述 Description

The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

特性 Features

• Reduced switching losses
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate input resistance
• 100% avalanche tested
• Zener-protected

简介

STW68N60M6属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STW68N60M6晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STW68N60M6

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-247

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.041

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :63

  • PTOT_max(W)

    :390

  • Qg_typ(nC)

    :106

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
25
TO-247-3
6000
原装正品
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ST
21+
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