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STW58N65DM2AG中文资料汽车级N沟道650 V、0.058 Ohm典型值、48 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装数据手册ST规格书
STW58N65DM2AG规格书详情
描述 Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STW58N65DM2AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.065
- Drain Current (Dc)_max(A)
：48
- PTOT_max(W)
：360
- Qg_typ(nC)
：88
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：135
- Qrr_typ(nC)
：680
- Peak Reverse Current_nom(A)
：10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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24+ |
TO-247-3 |
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