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STW58N60DM2AG中文资料汽车级N沟道600 V、0.052 Ohm典型值、50 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装数据手册ST规格书
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描述 Description
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STW58N60DM2AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.06
- Drain Current (Dc)_max(A)
：50
- PTOT_max(W)
：360
- Qg_typ(nC)
：90
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：140
- Qrr_typ(nC)
：700
- Peak Reverse Current_nom(A)
：10.6
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