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STW50N65DM2AG中文资料汽车级N沟道650 V、0.070 Ohm典型值、38 A MDmesh DM2功率MOSFET,TO-247封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STW50N65DM2AG

功能描述

汽车级N沟道650 V、0.070 Ohm典型值、38 A MDmesh DM2功率MOSFET,TO-247封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 16:46:00

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STW50N65DM2AG规格书详情

特性 Features

• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected

技术参数

  • 制造商编号

    :STW50N65DM2AG

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-247

  • Grade

    :Automotive

  • VDSS(V)

    :650

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.087

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :38

  • PTOT_max(W)

    :300

  • Qg_typ(nC)

    :70

  • Features

    :Fast recovery diode

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)

    :150

  • Qrr_typ(nC)

    :960

  • Peak Reverse Current_nom(A)

    :12.8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
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