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STW65N045M9-4中文资料N沟道650 V,39 mOhm典型值,54 A MDmesh M9功率MOSFET,采用TO247-4封装数据手册ST规格书
STW65N045M9-4规格书详情
描述 Description
该N沟道功率MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术,该技术适用于单位面积导通电阻RDS(on)非常低的中/高电压MOSFET。基于硅的M9技术采用多漏制造工艺,增强了器件结构。在所有硅基快速开关超结功率MOSFET中,运用此工艺制造的产品具有较低的导通电阻并降低了栅极电荷值,特别适合需要超高功率密度和出色效率的应用。
特性 Features
• 全球硅基器件中出色的FOM RDS(on)*Qg
• 更高的VDSS额定值
• 更高的dv/dt性能
• 因额外的驱动源引脚而具有出色的开关性能
• 易于驱动
• 经过100%雪崩测试
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
24+ |
TO-247 |
3600 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
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ST(意法) |
2511 |
TO-247 |
9550 |
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ST(意法半导体) |
2447 |
TO-247 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
9999 |
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ST |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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ST |
25+ |
TO-247 |
5000 |
原厂原装,价格优势 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST |
17+ |
TO-247 |
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ST |
223 |
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