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STW63N65DM2数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
STW63N65DM2 |
| 参数属性 | STW63N65DM2 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CH 650V 65A TO247 |
| 功能描述 | N沟道650 V、0.042 Ohm典型值、60 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装 |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 20:00:00 |
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STW63N65DM2规格书详情
描述 Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high- efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
简介
STW63N65DM2属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STW63N65DM2晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：STW63N65DM2
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.05
- Drain Current (Dc)_max(A)
：60
- PTOT_max(W)
：446
- Qg_typ(nC)
：120
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：154
- Qrr_typ(nC)
：940
- Peak Reverse Current_nom(A)
：12.2
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