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STW36NM60N	文件：869.77 Kbytes Page：13 Pages	Marking：36NM60N；Package：TO-247；N-channel 600 V, 0.092 Ω, 29 A, MDmesh™ II Power MOSFET in TO-247 Features ■100avalanchetested ■Lowinputcapacitanceandgatecharge ■Lowgateinputresistance Application ■Switchingapplications –Automotive Description Thisdeviceismadeusingthesecondgeneration ofMDmesh™technology.Thisrevolutionary PowerMOSFETassociatesanewve	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW36NM60ND	文件：1.36347 Mbytes Page：18 Pages	Marking：36NM60ND；Package：TO-247；Automotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswith intrinsicfast-recoverybodydiodeareproduced usingthesecondgenerationofMDmesh™ technology.Utilizinganewstrip-layoutvertical structure,theserevolutionarydevicesfeature extremelylowon-resistanceandsuperior switchingperforma	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW36NM60ND	文件：351.44 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=29A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.11Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
36NM60N	文件：1.04479 Mbytes Page：15 Pages	Automotive-gradeN-channel600V,0.093Ω,29A,MDmesh™IIPowerMOSFETinaD²PAKpackage Features •Designedforautomotiveapplicationsand AEC-Q101qualified •100avalanchetested •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance Applications •Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingthesecondgene	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB36NM60N	文件：1.36347 Mbytes Page：18 Pages	Automotive-gradeN-channel600V,0.097typ.,29AFDmeshII Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswith intrinsicfast-recoverybodydiodeareproduced usingthesecondgenerationofMDmesh™ technology.Utilizinganewstrip-layoutvertical structure,theserevolutionarydevicesfeature extremelylowon-resistanceandsuperior switchingperforma	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
STW36NM60N
功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.092 Ohm 29A MDmesh II
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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