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STW12	文件：356.8 Kbytes Page：1 Pages	Current-Relay STW12 AC-Detection, 12-channel, Single evaluation, OR-Circuit	ZIEHL ZIEHL industrie-elektronik GmbH + Co KG	ZIEHL
STW120NF10	文件：376.56 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 100V - 0.009OHM - 110A - TO-247 - TO-220 - D2PAK STripFET2 Power MOSFET Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFET™processhasspecificallybeendesignedtominimizetheon-resistance.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiency,high-frequencyisolatedDC-DCconvertersfortelecom	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW120NF10	文件：946.25 Kbytes Page：21 Pages	N-channel 100 V, 0.009 ohm, 110 A STripFET II Power MOSFET Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFET™processhasspecificallybeendesignedtominimizetheon-resistance.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiency,high-frequencyisolatedDC-DCconvertersfortelecom	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW120NF10	文件：351.28 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW12N120K5	文件：309.87 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Super Junction MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.62Ω(TYP)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW12N170	文件：328.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1700V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.9Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW12N170K5	文件：346.92 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1700V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.9Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW12NA50	文件：147 Kbytes Page：9 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW12NA50	文件：350.8 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW12NA60	文件：243.04 Kbytes Page：11 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STW12
功能描述：
MOSFET POWER MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	STW12N60	ST	05+	TO-247	2380	原装进口	询价
深圳市一线半导体有限公司	STW12NA50		24+	N/A	1970		询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	STW12NC60	ST	23+	TO-247	8795		询价
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	STW12NK90Z	ST	23+	TO-247	5000	原装正品,假一罚十	询价

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