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STU10P6F6	文件：1.20288 Mbytes Page：24 Pages	Marking：10P6F6；Package：IPAK；P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETs developedusingtheSTripFET™F6technology, withanewtrenchgatestructure.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STU10P6F6	文件：1.20301 Mbytes Page：24 Pages	P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD10P6F6	文件：490.86 Kbytes Page：15 Pages	P-channel60V,0.15廓typ.,10ASTripFET??VIDeepGATE??PowerMOSFETinDPAKandTO-220packages Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETsdevelopedusingtheSTripFET™F6technology,withanewtrenchgatestructure.TheresultingPowerMOSFETsexhibitverylowRDS(on)inallpackages. Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD10P6F6	文件：1.20301 Mbytes Page：24 Pages	P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF10P6F6	文件：1.20288 Mbytes Page：24 Pages	P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETs developedusingtheSTripFET™F6technology, withanewtrenchgatestructure.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF10P6F6	文件：1.20301 Mbytes Page：24 Pages	P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP10P6F6	文件：490.86 Kbytes Page：15 Pages	P-channel60V,0.15廓typ.,10ASTripFET??VIDeepGATE??PowerMOSFETinDPAKandTO-220packages Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETsdevelopedusingtheSTripFET™F6technology,withanewtrenchgatestructure.TheresultingPowerMOSFETsexhibitverylowRDS(on)inallpackages. Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP10P6F6	文件：1.20301 Mbytes Page：24 Pages	P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP10P6F6	文件：1.20288 Mbytes Page：24 Pages	P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETs developedusingtheSTripFET™F6technology, withanewtrenchgatestructure.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP10P6F6	文件：1.09165 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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