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STS19N3LLH6	文件：863.55 Kbytes Page：14 Pages	High avalanche ruggedness 文件：863.55 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STS19N3LLH6	文件：1.1011 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.1011 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STS19N3LLH6	文件：300 bytes Page：1 Pages	High avalanche ruggedness	ST 意法半导体	ST
STD19N3LLH6AG	文件：790.59 Kbytes Page：15 Pages	High avalanche ruggedness 文件：790.59 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL19N3LLH6AG	文件：659.65 Kbytes Page：14 Pages	Automotive-grade N-channel 30 V, 23 mΩ typ., 10 A, STripFETTM H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Features • AEC-Q101 qualified • Very low on-resistance • Very low gate charge • High avalanche ruggedness • Low gate drive power loss • Logic level • Wettable flank package Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trenc 文件：659.65 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更多STS19N3LLH6供应商更新时间2025-10-7 14:14:00