STPSC30H12C中文资料1200 V 碳化硅功率肖特基二极管数据手册ST规格书

描述 Description

该款碳化硅（SiC）二极管可采用TO-247 LL封装，是一款超高性能的功率肖特基二极管，并使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计1200 V额定电压的低VF（正向压降）肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC和二次侧应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。这款二极管将增强目标应用的性能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。

特性 Features

• 无反向恢复，或反向恢复可忽略
• 开关行为受温度影响小
• 强大的高电压外设
• 工作结温，范围从-40 °C 到 175 °C
• ECOPACK®2 兼容

简介

STPSC30H12C属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由ST制造生产的STPSC30H12C二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管，并增加了“二极管配置”属性，该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意，具有全桥配置的阵列被专门排除在外，并列为单独的产品系列。