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STPSC20H12-Y中文资料汽车用1200 V、20 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管数据手册ST规格书
STPSC20H12-Y规格书详情
描述 Description
该款碳化硅(SiC)二极管可采用TO-220AC和D²PAK封装,是一款超高性能的功率肖特基二极管,并使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计1200 V额定电压的低VF(正向压降)肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。ST碳化硅(SiC)二极管特别适用于PFC和二次侧应用,可在硬开关条件下大幅提升效能。这款二极管将增强目标应用的性能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。
特性 Features
• 符合AEC-Q101标准
• 无反向恢复,或反向恢复可忽略
• 开关行为受温度影响小
• 强大的高电压外设
• 具有PPAP功能(符合生产件批准程序)
• 工作结温,范围从-40 °C 到 175 °C
• ECOPACK®2 兼容
技术参数
- 制造商编号
:STPSC20H12-Y
- 生产厂家
:ST
- Number of Diodes_spec
:1
- Marketing Status
:Active
- Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)
:1200
- Average Rectified Current_max(A)
:20
- VF_max(V)
:1.5
- VF measure condition_spec(@ IF)(A)
:20
- Reverse Current_max(mA)
:0.12
- Total capacitive charge(nC)
:129
- Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)
:140
- Junction Temperature_max(°C)
:175
- General Description
:Automotive 1200 V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
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ST/意法半导体 |
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