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STPSC12H065-Y中文资料Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode数据手册ST规格书

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厂商型号

STPSC12H065-Y

功能描述

Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 17:10:00

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STPSC12H065-Y规格书详情

描述 Description

碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。
ST碳化硅(SiC)二极管特别适用于PFC应用,可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。

特性 Features

• 符合AEC-Q101标准
• 无反向恢复,或反向恢复可忽略
• 开关行为受温度影响小
• 专为PFC应用设计
• 高耐正向浪涌电流能力
• 具有PPAP功能(符合生产件批准程序)
• ECOPACK®2 兼容组件

技术参数

  • 制造商编号

    :STPSC12H065-Y

  • 生产厂家

    :ST

  • Number of Diodes_spec

    :1

  • Marketing Status

    :Active

  • Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)

    :650

  • Average Rectified Current_max(A)

    :12

  • VF_max(V)

    :1.75

  • VF measure condition_spec(@ IF)(A)

    :12

  • Reverse Current_max(mA)

    :0.12

  • Total capacitive charge(nC)

    :36

  • Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)

    :100

  • Junction Temperature_max(°C)

    :175

  • General Description

    :Automotive 650 V

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