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STPSC10H065中文资料650 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管数据手册ST规格书

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厂商型号

STPSC10H065

参数属性

STPSC10H065 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:AUTOMOTIVE 650 V POWER SCHOTTKY

功能描述

650 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
AUTOMOTIVE 650 V POWER SCHOTTKY

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 17:10:00

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STPSC10H065规格书详情

描述 Description

碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

ST碳化硅(SiC)二极管特别适用于PFC应用,可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。

特性 Features

• 无反向恢复,或反向恢复可忽略
• 开关行为受温度影响小
• 专为PFC应用设计
• 高耐正向浪涌电流能力
• 绝缘封装:TO-220AC 插件
• 绝缘电压:2500 VRMS正弦
• 典型封装电容: 7 pF

简介

STPSC10H065属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的STPSC10H065二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STPSC10H065

  • 生产厂家

    :ST

  • Number of Diodes_spec

    :1

  • Marketing Status

    :Active

  • Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)

    :650

  • Average Rectified Current_max(A)

    :10

  • VF_max(V)

    :1.75

  • VF measure condition_spec(@ IF)(A)

    :10

  • Reverse Current_max(mA)

    :0.1

  • Total capacitive charge(nC)

    :28.5

  • Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)

    :100

  • Junction Temperature_max(°C)

    :175

  • General Description

    :650 V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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