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STPSC10065-Y数据手册ST中文资料规格书
STPSC10065-Y规格书详情
描述 Description
碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。
ST碳化硅(SiC)二极管特别适用于PFC应用,可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。
特性 Features
• 符合AEC-Q101标准
• 无反向恢复,或反向恢复可忽略
• 开关行为受温度影响小
• 专为PFC应用设计
• 高耐正向浪涌电流能力
• 具有PPAP功能(符合生产件批准程序)
• 工作结温,范围从-40 °C 到 175 °C
• ECOPACK®2 兼容组件
技术参数
- 制造商编号
:STPSC10065-Y
- 生产厂家
:ST
- Number of Diodes_spec
:1
- Marketing Status
:Active
- Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)
:650
- Average Rectified Current_max(A)
:10
- VF_max(V)
:1.45
- VF measure condition_spec(@ IF)(A)
:10
- Reverse Current_max(mA)
:0.13
- Total capacitive charge(nC)
:34
- Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)
:48
- Junction Temperature_max(°C)
:175
- General Description
:Automotive 650 V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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