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STPSC1006数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

STPSC1006

参数属性

STPSC1006 封装/外壳为8-PowerVDFN;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:650 V 10 A POWER SCHOTTKY SILICO

功能描述

600 V power Schottky silicon carbide diode
650 V 10 A POWER SCHOTTKY SILICO

封装外壳

8-PowerVDFN

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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STPSC1006规格书详情

描述 Description

碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计600V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。
ST碳化硅(SiC)二极管能在硬开关条件下大幅提升PFC操作的性能。

特性 Features

• 无反向恢复,或反向恢复可忽略
• 开关行为受温度影响小
• 特别适用于PFC升压二极管功能

简介

STPSC1006属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的STPSC1006二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STPSC1006

  • 生产厂家

    :ST

  • Marketing Status

    :Active: Product is in volume production

  • Unit Price (US$)*

    :-

  • Quantity

    :-

  • Package

    :TO-220AC

  • Packing Type

    :Tube

  • Junction Temperature (°C) (max)

    :175

  • ECCN (EU)

    :NEC

  • ECCN (US)

    :EAR99

  • Country of Origin

    :CHINA

  • More info

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