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STPSC10065-Y

汽车用650 V、10 A碳化硅功率肖特基二极管

碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n\n ST碳化硅(SiC)二极管特别适用于PFC应用,可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 符合AEC-Q101标准 \n• 无反向恢复,或反向恢复可忽略 \n• 开关行为受温度影响小 \n• 专为PFC应用设计 \n• 高耐正向浪涌电流能力 \n• 具有PPAP功能(符合生产件批准程序) \n• 工作结温,范围从-40 °C 到 175 °C \n• ECOPACK®2 兼容组件;

ST

意法半导体

STPSC10065-Y

Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

文件:542.32 Kbytes 页数:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

WPANT10065

Wi-Fi / BT and NFC Dual Antenna

文件:64.08 Kbytes 页数:2 Pages

WPI

XF10065B

10 BASE T ISOLATION MODULE

文件:54.13 Kbytes 页数:1 Pages

XFMRS

技术参数

  • Number of Diodes_spec:

    1

  • Marketing Status:

    Active

  • Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V):

    650

  • Average Rectified Current_max(A):

    10

  • VF_max(V):

    1.45

  • VF measure condition_spec(@ IF)(A):

    10

  • Reverse Current_max(mA):

    0.13

  • Total capacitive charge(nC):

    34

  • Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A):

    48

  • Junction Temperature_max(°C):

    175

  • General Description:

    Automotive 650 V

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更多STPSC10065-Y供应商 更新时间2025-12-3 14:30:00