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STPSC10065数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

厂商型号 |
STPSC10065 |
参数属性 | STPSC10065 封装/外壳为8-PowerVDFN;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:650 V 10 A POWER SCHOTTKY SILICO |
功能描述 | 650 V 碳化硅功率肖特基二极管 |
封装外壳 | 8-PowerVDFN |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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STPSC10065规格书详情
描述 Description
碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。
ST碳化硅(SiC)二极管特别适用于PFC应用,可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。
特性 Features
• 无反向恢复,或反向恢复可忽略
• 开关行为受温度影响小
• 专为PFC应用设计
• 高耐正向浪涌电流能力
• 工作结温,范围从-40 °C 到 175 °C
• ECOPACK®2 兼容组件
简介
STPSC10065属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的STPSC10065二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 制造商编号
:STPSC10065
- 生产厂家
:ST
- Number of Diodes_spec
:1
- Marketing Status
:Active
- Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)
:650
- Average Rectified Current_max(A)
:10
- VF_max(V)
:1.45
- VF measure condition_spec(@ IF)(A)
:10
- Reverse Current_max(mA)
:0.13
- Total capacitive charge(nC)
:34
- Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)
:48
- Junction Temperature_max(°C)
:175
- General Description
:650 V power Schottky silicon carbide diode
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
D2PAK |
7350 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3320 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12700 |
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ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
11500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
30000 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8080 |
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ST/意法 |
21+ |
TO-220 |
20000 |
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ST/意法 |
23+ |
N |
11200 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
6000 |
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STMicroelectronics |
25+ |
TO-220AC |
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询价 |