650 V, 10 A low VF power Schottky silicon carbide diode

Features • No or negligible reverse recovery • Switching behavior independent of temperature • Dedicated to PFC applications • High forward surge capability • Operating Tj from -40 °C to 175 °C • D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min. • ECOPACK2 compliant component

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意法半导体

650 V 碳化硅功率肖特基二极管

碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n\n ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 无反向恢复，或反向恢复可忽略 \n• 开关行为受温度影响小 \n• 专为PFC应用设计 \n• 高耐正向浪涌电流能力 \n• 工作结温，范围从-40 °C 到 175 °C \n• ECOPACK®2 兼容组件;

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650 V, 10 A low VF power Schottky silicon carbide diode

Features • No or negligible reverse recovery • Switching behavior independent of temperature • Dedicated to PFC applications • High forward surge capability • Operating Tj from -40 °C to 175 °C • D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min. • ECOPACK2 compliant component

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650 V, 10 A power Schottky silicon carbide diode

Features • Less than 1 mm height package • High creepage package • No or negligible reverse recovery • Temperature independent switching behavior • High forward surge capability • Very low drop forward voltage • Power efficient product • ECOPACK2 compliant component Description This 10

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650 V, 10 A low VF power Schottky silicon carbide diode

Features • No or negligible reverse recovery • Switching behavior independent of temperature • Dedicated to PFC applications • High forward surge capability • Operating Tj from -40 °C to 175 °C • D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min. • ECOPACK2 compliant component

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意法半导体

丝印：PSC10065DY；Package：TO-220AC；Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

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丝印：PSC10065GY；Package：D2PAK；Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

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Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

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650V 10A功率肖特基碳化硅二极管

This 10 A, 650 V, SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and • Less than 1 mm height package \n• High creepage package \n• No or negligible reverse recovery \n• Temperature independent switching behavior \n• High forward surge capability \n• Very low drop forward voltage \n• Power efficient product \n• ECOPACK2 compliant component;

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汽车用650 V、10 A碳化硅功率肖特基二极管

碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n\n ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 符合AEC-Q101标准 \n• 无反向恢复，或反向恢复可忽略 \n• 开关行为受温度影响小 \n• 专为PFC应用设计 \n• 高耐正向浪涌电流能力 \n• 具有PPAP功能（符合生产件批准程序） \n• 工作结温，范围从-40 °C 到 175 °C \n• ECOPACK®2 兼容组件;

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