650 V power Schottky silicon carbide diode

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650 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n\n ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 无反向恢复，或反向恢复可忽略 \n• 开关行为受温度影响小 \n• 专为PFC应用设计 \n• 高耐正向浪涌电流能力 \n• 绝缘封装：TO-220AC 插件 \n• 绝缘电压：2500 VRMS正弦 \n• 典型封装电容: 7 pF;

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650 V, 10 A high surge silicon carbide power Schottky diode

Features • No or negligible reverse recovery • Switching behavior independent of temperature • High forward surge capability • Operating Tj from -40 °C to 175 °C • Power efficient product • D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min. • ECOPACK2 compliant component Descri

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丝印：PSC10H065BY；Package：DPAK；Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

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丝印：PSC10H065DY；Package：TO-220AC；Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

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丝印：PSC10H065GY；Package：D2PAK；Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

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