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STPSC10H065B-TR	文件：401.37 Kbytes Page：17 Pages	丝印：PSC10H065；Package：DPAK；650 V, 10 A high surge silicon carbide power Schottky diode Features • No reverse recovery charge in application current range • Switching behavior independent of temperature • High forward surge capability • Insulated package TO-220AC Ins: – Insulated voltage: 2500 VRMS – Typical package capacitance: 7 pF • Power efficient product • ECOPACK®2 comp 文件：401.37 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC10H065B-TR	文件：122.1 Kbytes Page：9 Pages	650 V power Schottky silicon carbide diode 文件：122.1 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC10H065B-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC10H065BY-TR	文件：236.18 Kbytes Page：9 Pages	Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode 文件：236.18 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC10H065BY-TR	文件：348.12 Kbytes Page：11 Pages	Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode Features • AEC-Q101 qualified • No reverse recovery charge in application current range • Switching behavior independent of temperature • Recommended to PFC applications • PPAP capable • ECOPACK compliant component 文件：348.12 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC10H065D	文件：122.1 Kbytes Page：9 Pages	650 V power Schottky silicon carbide diode 文件：122.1 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STPSC10H065B-TR
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
10A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
480pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
工作温度 - 结：
-40°C ~ 175°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK

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