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STQ2LN60K3-AP

Marking:2LN60K3;Package:TO-92;N-channel 600 V, 4 廓 typ., 0.6 A MDmesh??K3 Power MOSFET in a TO-92 package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

2LN60K3

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

STD2LN60K3

N-channel600V,4typ.,2ASuperMESH3PowerMOSFETinDPAK,TO-220FPandIPAKpackages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STD2LN60K3

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

STF2LN60K3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

STF2LN60K3

N-channel600V,4typ.,2ASuperMESH3PowerMOSFETinDPAK,TO-220FPandIPAKpackages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STU2LN60K3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

STU2LN60K3

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

STU2LN60K3

N-channel600V,4typ.,2ASuperMESH3PowerMOSFETinDPAK,TO-220FPandIPAKpackages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

详细参数

  • 型号:

    STQ2LN60K3-AP

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多STQ2LN60K3-AP供应商 更新时间2025-5-20 16:12:00