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STQ2LN60K3-AP中文资料N沟道600 V、4 Ohm典型值、0.6 A MDmesh K3功率MOSFET，TO-92封装数据手册ST规格书
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描述 Description
This MDmesh™ K3 Power MOSFET is the result of improvements applied to STMicroelectronics’ MDmesh™ technology, combined with a new optimized vertical structure. This device boasts an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering it suitable for the most demanding applications.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt capability
• Very low intrinsic capacitance
• Improved diode reverse recovery characteristics
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STQ2LN60K3-AP
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-92
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：4.5
- Drain Current (Dc)_max(A)
：0.6
- PTOT_max(W)
：2.5
- Qg_typ(nC)
：12
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