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STQ1HN60K3-AP中文资料N-channel 600 V, 6.4 Ohm typ., 1.2 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-92 package数据手册ST规格书
STQ1HN60K3-AP规格书详情
描述 Description
This SuperMESH3™ Power MOSFET is the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. This device boasts an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering it suitable for the most demanding applications.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt capability
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Improved diode reverse recovery characteristics
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STQ1HN60K3-AP
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-92
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：8
- Drain Current (Dc)_max(A)
：1.2
- PTOT_max(W)
：3
- Qg_typ(nC)
：9.5
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