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STPSC10H12B2-TR数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

STPSC10H12B2-TR

参数属性

STPSC10H12B2-TR 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:1200V, 10A, SILICON CARBIDE POWE

功能描述

1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
1200V, 10A, SILICON CARBIDE POWE

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 12:18:00

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STPSC10H12B2-TR规格书详情

简介

STPSC10H12B2-TR属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的STPSC10H12B2-TR二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STPSC10H12B2-TR

  • 生产厂家

    :ST

  • Number of Diodes_spec

    :1

  • Marketing Status

    :Active

  • Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)

    :1200

  • Average Rectified Current_max(A)

    :10

  • VF_max(V)

    :1.5

  • VF measure condition_spec(@ IF)(A)

    :10

  • Reverse Current_max(mA)

    :0.06

  • Total capacitive charge(nC)

    :57

  • Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)

    :71

  • Junction Temperature_max(°C)

    :175

  • General Description

    :1200V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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