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STPSC20H065C-Y数据手册ST中文资料规格书
STPSC20H065C-Y规格书详情
描述 Description
碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。
ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。
特性 Features
• 在应用电流范围内无反向恢复
• 开关行为受温度影响小
• 专为PFC应用设计
• 高耐正向浪涌电流能力
• 符合AEC-Q101标准
• ECOPACK®2 兼容组件
• 具有PPAP功能（符合生产件批准程序）
技术参数
- 制造商编号
：STPSC20H065C-Y
- 生产厂家
：ST
- Number of Diodes_spec
：2
- Marketing Status
：Active
- Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)
：650
- Average Rectified Current_max(A)
：20
- VF_max(V)
：1.75
- VF measure condition_spec(@ IF)(A)
：10
- Reverse Current_max(mA)
：0.1
- Total capacitive charge(nC)
：28.5
- Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)
：90
- Junction Temperature_max(°C)
：175
- General Description
：Automotive 650 V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMICROELECTRONICS |
21+ |
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