1200 V 碳化硅功率肖特基二极管

该款碳化硅（SiC）二极管可采用TO-247 LL封装，是一款超高性能的功率肖特基二极管，并使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计1200 V额定电压的低VF（正向压降）肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n\n ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC和二次侧应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。这款二极管将增强目标应用的性能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 无反向恢复，或反向恢复可忽略 \n• 开关行为受温度影响小 \n• 强大的高电压外设 \n• 工作结温，范围从-40 °C 到 175 °C \n• ECOPACK®2 兼容;

ST

意法半导体

Robust high voltage periphery

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247

STMICROELECTRONICS

意法半导体

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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NCEPOWER

新洁能

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE30H12AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =120A RDS(ON)

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NCEPOWER

新洁能

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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NCEPOWER

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