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STP13NM60N中文资料N沟道600 V、0.28 Ohm典型值、11 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,TO-220封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STP13NM60N

功能描述

N沟道600 V、0.28 Ohm典型值、11 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,TO-220封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:01:00

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STP13NM60N规格书详情

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

特性 Features

• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance

技术参数

  • 制造商编号

    :STP13NM60N

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.36

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :11

  • PTOT_max(W)

    :90

  • Qg_typ(nC)

    :30

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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