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STP130N8F7数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

STP130N8F7

参数属性

STP130N8F7 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CHANNEL 80V 80A TO220

功能描述

N-channel 80 V, 5 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
MOSFET N-CHANNEL 80V 80A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-6 17:45:00

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STP130N8F7规格书详情

描述 Description

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

特性 Features

• 处于市面上最低的RDS(on) 行列
• 出色的品质因数(FoM)
• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力

简介

STP130N8F7属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STP130N8F7晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STP130N8F7

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :80

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.0058

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :80

  • PTOT_max(W)

    :200

  • Qg_typ(nC)

    :60

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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