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STP130N6F7中文资料N沟道60 V、4.2 mOhm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
STP130N6F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的 RDS(on) 行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STP130N6F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.005
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：158
- Qg_typ(nC)
：45
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
48000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ST(意法半导体) |
2447 |
TO-220 |
105000 |
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
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ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST |
NA |
16355 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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ST/意法半导体 |
2022+ |
TO-220-3 |
6900 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-220 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
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ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-220-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 |
