首页>STP11NM65N>规格书详情
STP11NM65N中文资料N-channel 650 V, 0.425 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package数据手册ST规格书
STP11NM65N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• low gate input resistance
技术参数
- 型号：
STP11NM65N
- 功能描述：
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
2020+ |
TO-220-3 |
7600 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
询价 | ||
ST |
24+ |
原厂正品 |
9240 |
原装现货 假一赔百 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-220-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25 |
TO-220-3 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
20000 |
现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-220 |
5000 |
优势供应 实单必成 可开增值税13点 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
STN |
2405+ |
原厂封装 |
1000 |
只做原装优势现货库存 渠道可追溯 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-220-3 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 |
