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STP11NM60FD数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STP11NM60FD

功能描述

N-channel 600 V, 0.38 Ohm typ., 11 A MDmesh Power MOSFET in TO-220 package

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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STP11NM60FD规格书详情

特性 Features

• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• High dv/dt and avalanche capabilities
• Tight process control and high manufacturing yields
• Low gate input resistance

技术参数

  • 型号:

    STP11NM60FD

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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