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STP11NM60FD中文资料N-channel 600 V, 0.38 Ohm typ., 11 A MDmesh Power MOSFET in TO-220 package数据手册ST规格书
STP11NM60FD规格书详情
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• High dv/dt and avalanche capabilities
• Tight process control and high manufacturing yields
• Low gate input resistance
技术参数
- 型号：
STP11NM60FD
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
原厂原包 |
24+ |
原装 |
38560 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-220-3 |
16900 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
10000 |
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询价 | ||
STM |
23+ |
TO-220FP-3 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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24+ |
N/A |
51000 |
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询价 | |||
ST |
15+ |
TO-220F |
11560 |
全新原装,现货库存,长期供应 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12820 |
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ST/意法 |
20+ |
TO-220ABTO-220FP |
7500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
询价 |
