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STP11NK50ZFP中文资料N沟道500 V、0.48 Ohm典型值、10 A SuperMESH功率MOSFET,TO-220FP封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STP11NK50ZFP

功能描述

N沟道500 V、0.48 Ohm典型值、10 A SuperMESH功率MOSFET,TO-220FP封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:42:00

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STP11NK50ZFP规格书详情

描述 Description

The SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications.

特性 Features

• Extremely high dv/dt capability
• Gate charge minimized
• 100% avalanche tested
• Very low intrinsic capacitances

技术参数

  • 制造商编号

    :STP11NK50ZFP

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220FP

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :500

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.52

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :10

  • PTOT_max(W)

    :30

  • Qg_typ(nC)

    :49

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)

    :308

  • Peak Reverse Current_nom(A)

    :16

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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