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STP10NM60ND中文资料N-channel 600 V, 0.57 Ohm, 8 A, TO-220 FDmesh(TM) II Power MOSFET数据手册ST规格书
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描述 Description
These FDmesh™ II Power MOSFETs with fast-recovery body diode are produced using MDmesh™ II technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these devices feature low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
Fast-recovery body diode
Low gate charge and input capacitance
Low on-resistance R
DS(on)
100% avalanche tested
High dv/dt ruggedness
技术参数
- 型号：
STP10NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2020+ |
TO-220-3 |
7600 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-220-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25 |
TO-220-3 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
20000 |
现货 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO220 |
50 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
STMICRO |
2405+ |
原厂封装 |
12500 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83267371邹小姐 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO220 |
21574 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-220-3 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 |
