首页>STP10NM60ND>规格书详情
STP10NM60ND数据手册ST中文资料规格书
STP10NM60ND规格书详情
描述 Description
These FDmesh™ II Power MOSFETs with fast-recovery body diode are produced using MDmesh™ II technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these devices feature low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
Fast-recovery body diode
Low gate charge and input capacitance
Low on-resistance R
DS(on)
100% avalanche tested
High dv/dt ruggedness
技术参数
- 型号：
STP10NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST |
1728+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
ST |
2447 |
TO220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-220-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO-220铁头 |
10 |
只做原装进口!正品支持实单! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-220-3 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
TO-220 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO220 |
21574 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 |
