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STP105N3LL中文资料N沟道30 V、2.7 mOhm典型值、150 A STripFET H6功率MOSFET,TO-220封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STP105N3LL

功能描述

N沟道30 V、2.7 mOhm典型值、150 A STripFET H6功率MOSFET,TO-220封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 17:28:00

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STP105N3LL规格书详情

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

特性 Features

• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss

技术参数

  • 制造商编号

    :STP105N3LL

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :30

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)

    :0.0045

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.0035

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :80

  • PTOT_max(W)

    :140

  • Qg_typ(nC)

    :42

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMICROELECTRONICS
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