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STP100N8F6规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STP100N8F6
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：80
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.009
- Drain Current (Dc)_max(A)
：100
- PTOT_max(W)
：176
- Qg_typ(nC)
：90
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
TO-220 |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-220 |
25000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
30000 |
全新原装现货特价销售 欢迎来电查询 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220-3 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST |
23+ |
NA |
19587 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价，原装元器件供应，支持开发样品 |
询价 | ||
ST |
TO-220 |
999999 |
全新原装正品 一级代理假一罚十 长期有货 |
询价 | |||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO-220 |
10000 |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 |
