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STP100N10F7中文资料N沟道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET,TO-220封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STP100N10F7

功能描述

N沟道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET,TO-220封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 17:52:00

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STP100N10F7规格书详情

描述 Description

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

特性 Features

• 处于市面上最低的 RDS(on) 行列
• 出色的品质因数(FoM)
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力

技术参数

  • 制造商编号

    :STP100N10F7

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :100

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.008

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :80

  • PTOT_max(W)

    :150

  • Qg_typ(nC)

    :61

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