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STP100N10F7中文资料N沟道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET,TO-220封装数据手册ST规格书
STP100N10F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的 RDS(on) 行列
• 出色的品质因数(FoM)
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
:STP100N10F7
- 生产厂家
:ST
- Package
:TO-220AB
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.008
- Drain Current (Dc)_max(A)
:80
- PTOT_max(W)
:150
- Qg_typ(nC)
:61
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2450+ |
TO-220-3 |
8540 |
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ST/意法 |
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TO-220 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
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STM |
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TO-220 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
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ST(意法半导体) |
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