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| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
STP105N3LL | Low gate drive power losses Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthe6thgenerationofSTripFET™DeepGATE™technology,withanewgatestructure.TheresultingPowerMOSFETexhibitsthelowestRDS(on)inallpackages. Features •RDS(on)*Qgindustrybenchmark •Extremelylowon-resistance | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | |
STP105N3LL | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | |
STP105N3LL | Isc N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
Lowgatedrivepowerlosses Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthe6thgenerationofSTripFET™DeepGATE™technology,withanewgatestructure.TheresultingPowerMOSFETexhibitsthelowestRDS(on)inallpackages. Features •RDS(on)*Qgindustrybenchmark •Extremelylowon-resistance | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS |
详细参数
- 型号：
STP105N3LL
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMICROELECTRONICS |
21+ |
NA |
20 |
只做原装,假一罚十 |
询价 | ||
STM |
21+ |
TO-220-3 |
5000 |
原装正品 有挂有货 |
询价 | ||
STM |
21+/22+ |
12000 |
TO-220-3 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-220-3 |
6005 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
询价 | ||
STM |
23+ |
TO-220-3 |
60000 |
原装现货支持送检 |
询价 | ||
ST |
2022+ |
TO-220 |
9000 |
全新现货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
SOT-223 |
12500 |
ST系列在售,可接长单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023 |
TO-220-3 |
6000 |
公司原装现货/支持实单 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
23+ |
TO-220 |
9203 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
23+ |
N/A |
30050 |
正品授权货源可靠 |
询价 |
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