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STP10NM60N中文资料N沟道600 V、0.53 Ohm典型值、10 A MDmesh II功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
STP10NM60N规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STP10NM60N
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.55
- Drain Current (Dc)_max(A)
：10
- PTOT_max(W)
：70
- Qg_typ(nC)
：19
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12820 |
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询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO-220 |
16410 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-220 |
32360 |
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询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
TO220 |
9850 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
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询价 | ||
STM进口原装 |
17+ |
TO-220 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
ST |
23+ |
TO220 |
8560 |
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询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO220 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 |
