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STP10N95K5中文资料N沟道950 V、0.65 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STP10N95K5

功能描述

N沟道950 V、0.65 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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STP10N95K5规格书详情

描述 Description

这款N-沟道稳压保护功率MOSFETs采用ST革命性的耐雪崩、超高压SuperMESH™ 5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。

特性 Features

• 全球出色的品质因数(FoM)
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护

技术参数

  • 制造商编号

    :STP10N95K5

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :950

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.8

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :8

  • PTOT_max(W)

    :110

  • Qg_typ(nC)

    :20

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