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STP11N60DM2中文资料N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
STP11N60DM2规格书详情
描述 Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fastrecovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STP11N60DM2
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.42
- Drain Current (Dc)_max(A)
：10
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：16.5
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：90
- Qrr_typ(nC)
：248
- Peak Reverse Current_nom(A)
：5.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
17+ |
29954 |
只做原装进口现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
17+ |
37279 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
ST/意法 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 |
