STP11NM60中文资料N沟道600 V、0.4 Ohm典型值、11 A MDmesh功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
STP11NM60规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STP11NM60
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.45
- Drain Current (Dc)_max(A)
：11
- PTOT_max(W)
：160
- Qg_typ(nC)
：30
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO-220 |
8795 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
ST/意法 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST |
23+ |
TO-220F |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
1000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
20+ |
原装模块 |
368 |
样品可出,原装现货 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
18000 |
原装正品 |
询价 |
