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STP11NM60ND中文资料N沟道600 V、0.37 Ohm典型值、10 A FDmesh II功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
STP11NM60ND规格书详情
描述 Description
This FDmesh II Power MOSFET with fast-recovery body diode is produced using MDmesh II technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this device features low on-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance RDS(on)
• 100% avalanche tested
• High dv/dt ruggedness
技术参数
- 制造商编号
：STP11NM60ND
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Packing Type
：Tube
- Marketing Status
：Active: Product is in volume production
- Unit Price (US$)*
：-
- Quantity
：-
- ECCN (EU)
：NEC
- ECCN (US)
：EAR99
- Country of Origin
：MOROCCO
- More info
：MORE INFO
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