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STP13N60M2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (Coss) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STP13N60M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.38
- Drain Current (Dc)_max(A)
：11
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：17
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO-220F |
8560 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
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ST/意法半导体 |
2511 |
TO-220-3 |
16900 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16960 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST/意法 |
24+ |
NA |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
6000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
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24+ |
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