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STP12NM60N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.41Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:372.37 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STP12NM60N

N-channel 600V - 0.35廓 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET

文件:591.63 Kbytes 页数:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP12NM60N

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.03497 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STP12NM60N

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

ST

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    STP12NM60N

  • 功能描述:

    MOSFET N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A Pwr MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多STP12NM60N供应商 更新时间2026-2-3 16:12:00